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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.16 | 雪崩能效等级（Eas）： | 30 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 27 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTD3055-150-1G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
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| NTD3055-150G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
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| NTD3055-150T4 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
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| NTD3055-150T4 | ROCHESTER |
获取价格 |
9A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 369C-01, DPAK-3 |
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| NTD3055-150T4G | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 9.0 A, 60 V |
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| NTD3055-150T4H | ONSEMI |
获取价格 |
9A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE, PLASTIC, CASE 369C, DPAK-3/2 |
|
| NTD3055L104 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| NTD3055L104/D | ETC |
获取价格 |
Power MOSFET 12 Amps， 60 Volts， Logic Level |
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| NTD3055L104-001 | ONSEMI |
获取价格 |
单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 60V，12A，104mΩ |
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| NTD3055L104-1 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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