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NTD2955PT4G

更新时间： 2024-02-21 04:03:17
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
Power MOSFET −60 V, −12 A, P−Channel DPAK

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NTD2955PT4G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.15雪崩能效等级（Eas）：216 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTD2955PT4G 数据手册

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NTD2955, NTD2955P,  
NVD2955  
Power MOSFET  
−60 V, −12 A, P−Channel DPAK  
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the  
avalanche and commutation modes. Designed for low−voltage, high−  
speed switching applications in power supplies, converters, and power  
motor controls. These devices are particularly well suited for bridge  
circuits where diode speed and commutating safe operating areas are  
critical and offer an additional safety margin against unexpected  
voltage transients.  
http://onsemi.com  
V
R
TYP  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
−60 V  
155 mW @ −10 V, 6 A  
−12 A  
P−Channel  
D
Features  
• Avalanche Energy Specified  
• I  
and V  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
DS(on)  
• Designed for Low−Voltage, High−Speed Switching Applications and  
to Withstand High Energy in the Avalanche and Commutation Modes  
• NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring  
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101  
Qualified and PPAP Capable  
G
S
MARKING DIAGRAMS  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
4
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
4
4
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
2
1
Drain  
Drain  
3
Drain−to−Source Voltage  
V
DSS  
−60  
Vdc  
DPAK  
CASE 369C  
STYLE 2  
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
V
GSM  
20  
25  
Vdc  
Vpk  
GS  
V
− Non−repetitive (t ≤ 10 ms)  
p
Drain Current  
Drain Current − Continuous @ T = 25°C  
Drain Current − Single Pulse (t ≤ 10 ms)  
I
−12  
−18  
Adc  
Apk  
2
2
D
a
1
Gate  
1
Gate  
3
3
I
Drain  
Drain  
DM  
p
Source  
Source  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
55  
W
a
D
4
Operating and Storage Temperature  
Range  
T , T  
−55 to  
175  
°C  
J
stg  
4
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
216  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
(V = 25 Vdc, V = 10 Vdc, Peak  
DD  
GS  
I = 12 Apk, L = 3.0 mH, R = 25 W)  
1
L
G
2
3
Thermal Resistance  
R
R
2.73  
71.4  
100  
°C/W  
°C  
− Junction−to−Case  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
− Junction−to−Ambient (Note 2)  
q
JC  
JA  
JA  
DPAK−3  
CASE 369D  
STYLE 2  
q
1
2
3
R
q
Gate Drain Source  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8 in. from case for  
10 seconds  
T
260  
L
Y
= Year  
WW = Work Week  
= Pb−Free Package  
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 6 of this data sheet.  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1 in pad size  
2
(Cu area = 1.127 in ).  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size (Cu area = 0.412 in ).  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
October, 2012 − Rev. 12  
NTD2955/D  
 
12345678

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NTD2955PT4G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		种类:P-Channel;漏源导通电阻:-60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-
NTD30 EDI

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 		HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS
NTD3055-094 ONSEMI

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