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NTB45N06

更新时间： 2024-01-22 04:51:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 68K
描述
Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts

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NTB45N06 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.12雪崩能效等级（Eas）：240 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：45 A
最大漏极电流 (ID)：45 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTB45N06 数据手册

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NTP45N06, NTB45N06  
Power MOSFET  
45 Amps, 60 Volts  
2
N–Channel TO–220 and D PAK  
Designed for low voltage, high speed switching applications in  
power supplies, converters and power motor controls and bridge  
circuits.  
http://onsemi.com  
Features  
45 AMPERES  
60 VOLTS  
• Higher Current Rating  
• Lower R  
• Lower V  
• Lower Capacitances  
• Lower Total Gate Charge  
DS(on)  
DS(on)  
R
= 26 mΩ  
DS(on)  
N–Channel  
D
• Tighter V  
Specification  
SD  
• Lower Diode Reverse Recovery Time  
• Lower Reverse Recovery Stored Charge  
Typical Applications  
• Power Supplies  
• Converters  
• Power Motor Controls  
• Bridge Circuits  
G
4
S
4
1
2
3
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
D PAK  
TO–220AB  
J
CASE 418B  
STYLE 2  
CASE 221A  
STYLE 5  
Rating  
Symbol Value Unit  
1
Drain–to–Source Voltage  
V
60  
60  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
DGR  
2
3
Drain–to–Gate Voltage (R  
= 10 MΩ)  
V
GS  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Gate–to–Source Voltage  
– Continuous  
V
V
"20  
"30  
GS  
GS  
4
– Non–Repetitive (t v10 ms)  
p
4
Drain  
Drain Current  
– Continuous @ T = 25°C  
Drain  
I
I
45  
30  
150  
Adc  
Apk  
A
D
D
– Continuous @ T = 100°C  
A
– Single Pulse (t v10 µs)  
I
p
DM  
NTB45N06  
LLYWW  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 1.)  
Total Power Dissipation @ T = 25°C (Note 2.)  
P
D
125  
0.83  
3.2  
W
W/°C  
W
A
NTP45N06  
LLYWW  
A
A
2.4  
W
1
Gate  
3
2
1
3
Source  
Operating and Storage Temperature Range  
Single Pulse Drain–to–Source Avalanche  
T , T  
J stg  
–55 to  
+175  
°C  
Drain  
Gate  
Source  
2
E
AS  
240  
mJ  
NTx45N06 = Device Code  
Drain  
Energy – Starting T = 25°C  
J
LL  
= Location Code  
= Year  
= Work Week  
(V  
= 50 Vdc, V  
= 10 Vdc, RG = 25 Ω,  
DD  
GS  
= 40 A, L = 0.3 mH, V  
Y
WW  
I
= 60 Vdc)  
DS  
L(pk)  
1. When surface mounted to an FR4 board using 1″ pad size,  
2
(Cu Area 1.127 in ).  
ORDERING INFORMATION  
2. When surface mounted to an FR4 board using the minimum recommended  
2
pad size, (Cu Area 0.412 in ).  
Device  
Package  
Shipping  
NTP45N06  
NTB45N06  
NTB45N06T4  
TO–220AB  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 0  
NTP45N06/D  
12345678

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NTB45N06 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB45N06LT4G ONSEMI

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