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NTB4302

更新时间： 2024-01-11 17:46:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 75K
描述
Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts

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NTB4302 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CASE 418AA-01, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.14Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：722 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：74 A最大漏极电流 (ID)：74 A
最大漏源导通电阻：0.0093 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：235极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：175 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTB4302 数据手册

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NTP4302, NTB4302  
Power MOSFET  
74 Amps, 30 Volts  
N−Channel TO−220 and D2PAK  
Features  
• Low R  
DS(on)  
http://onsemi.com  
• Higher Efficiency Extending Battery Life  
• Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery  
• Avalanche Energy Specified  
74 AMPERES  
30 VOLTS  
RDS(on) = 9.3 mΩ Max  
• I  
Specified at Elevated Temperature  
DSS  
Typical Applications  
• DC−DC Converters  
N−Channel  
• Low Voltage Motor Control  
D
• Power Management in Portable and Battery Powered Products: Ie:  
Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones, and PCMCIA  
Cards  
G
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
4
S
Rating  
Symbol Value  
Unit  
4
Drain−to−Source Voltage  
V
30  
30  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
DSS  
1
2
Drain−to−Gate Voltage (R = 10 MΩ)  
V
DGR  
GS  
3
Gate−to−Source Voltage  
− Continuous  
2
V
"20  
D PAK  
GS  
TO−220AB  
CASE 221A  
STYLE 5  
CASE 418AA  
STYLE 2  
Drain Current  
− Continuous @ T = 25°C  
I
I
74  
47  
175  
Adc  
Apk  
C
D
D
1
2
− Continuous @ T = 100°C  
C
3
− Single Pulse (t v10 µs)  
I
p
DM  
MARKING DIAGRAMS  
& PIN ASSIGNMENTS  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
P
D
80  
W
C
Derate above 25°C  
0.66  
W/°C  
4
4
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
Drain  
Drain  
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
722  
mJ  
Energy − Starting T = 25°C  
J
NTx4302  
LLYWW  
(V = 30 Vdc, V = 10 Vdc, L = 5.0 mH  
DD  
GS  
NTx4302  
LLYWW  
I
= 17 A, V = 30 Vdc, R = 25 Ω)  
DS G  
L(pk)  
Thermal Resistance  
− Junction−to−Case  
°C/W  
°C  
1
Gate  
3
1
Gate  
3
2
R
R
1.55  
70  
θ
JC  
JA  
Source  
Source  
Drain  
− Junction−to−Ambient (Note 1)  
θ
2
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Purposes, 1/8″ from case for 10 seconds  
T
260  
L
x
= P or B  
Drain  
NTx4302  
LL  
Y
= Device Code  
= Location Code  
= Year  
1. When surface mounted to an FR4 Board using minimum recommended Pad  
2
Size, (Cu Area 0.412 in ).  
2. Current limited by internal lead wires.  
WW  
= Work Week  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping  
NTP4302  
NTB4302  
NTB4302T4  
TO−220AB  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
2
D PAK  
2
D PAK  
800/Tape & Reel  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
October, 2003 − Rev. 1  
NTP4302/D  
 
12345678

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NTB4302 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTB4302T4G ONSEMI

完全替代

 Power MOSFET 74 Amps, 30 Volts N-Channel D2PAK, D2PAK 2 LEAD, 800-REEL
NTB4302T4 ONSEMI

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