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Datasheet > 二极管 > 微波混频二极管> NSVMBD770DW1T1G
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NSVMBD770DW1T1G

更新时间： 2024-12-01 11:01:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 微波光电二极管肖特基二极管微波混频二极管
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
70 V 肖特基二极管，双，隔离

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NSVMBD770DW1T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：SC-88包装说明：R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
Factory Lead Time：8 weeks风险等级：5.71
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最大二极管电容：1 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.38 W
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

NSVMBD770DW1T1G 数据手册

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MBD110DWT1,  
MBD330DWT1,  
MBD770DWT1  
Preferred Device  
Dual Schottky Barrier  
Diodes  
http://onsemi.com  
Application circuit designs are moving toward the consolidation of  
device count and into smaller packages. The new SOT−363 package is  
a solution which simplifies circuit design, reduces device count, and  
reduces board space by putting two discrete devices in one small  
six−leaded package. The SOT−363 is ideal for low−power surface  
mount applications where board space is at a premium, such as  
portable products.  
Anode 1  
6 Cathode  
5 N/C  
N/C 2  
Cathode 3  
4 Anode  
Surface Mount Comparisons:  
SOT−363  
SOT−23  
2
Area (mm )  
4.6  
120  
2
7.6  
225  
1
Max Package P (mW)  
Device Count  
D
1
Space Savings:  
Package  
1 ꢀ SOT−23  
2 ꢀ SOT−23  
SOT−363  
40%  
70%  
SC−88 / SOT−363  
CASE 419B  
STYLE 6  
The MBD110DW, MBD330DW, and MBD770DW devices are  
spin−offs of our popular MMBD101LT1, MMBD301LT1, and  
MMBD701LT1 SOT−23 devices. They are designed for  
high−efficiency UHF and VHF detector applications. Readily  
available to many other fast switching RF and digital applications.  
MARKING DIAGRAM  
Features  
6
• Extremely Low Minority Carrier Lifetime  
• Very Low Capacitance  
xx M G  
G
• Low Reverse Leakage  
1
• Pb−Free Packages are Available  
MAXIMUM RATINGS  
xx = Device Code  
Refer to Ordering Table,  
page 2  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Reverse Voltage  
MBD110DWT1  
MBD330DWT1  
MBD770DWT1  
V
7.0  
30  
70  
V
R
M
= Date Code  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Forward Power Dissipation T = 25°C  
P
T
120  
mW  
°C  
A
F
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Junction Temperature  
−55 to +125  
−55 to +150  
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
°C  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
March, 2007 − Rev. 5  
MBD110DWT1/D  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NSVMBT3904DW1 ONSEMI

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