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NST847BF3T5G

更新时间： 2024-02-20 04:21:25
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 90K
描述
NPN General Purpose Transistor

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NST847BF3T5G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.54
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.347 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

NST847BF3T5G 数据手册

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NST847BF3T5G  
NPN General Purpose  
Transistor  
The NST847BF3T5G device is a spin−off of our popular  
SOT−23/SOT−323/SOT−563/SOT−963 three−leaded device. It is  
designed for general purpose amplifier applications and is housed in  
the SOT−1123 surface mount package. This device is ideal for  
low−power surface mount applications where board space is at a  
premium.  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
Features  
• h , 200−450  
FE  
1
BASE  
• Low V  
, ≤ 0.25 V  
CE(sat)  
• Reduces Board Space  
• This is a Pb−Free Device  
2
EMITTER  
NST847BF3T5G  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current − Continuous  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
3
50  
Vdc  
2
1
6.0  
Vdc  
SOT−1123  
CASE 524AA  
STYLE 1  
I
C
100  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
290  
2.3  
mW  
mW/°C  
A
D
MARKING DIAGRAM  
(Note 1)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
432  
°C/W  
q
JA  
4 M  
(Note 1)  
Total Device Dissipation, T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
347  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
D
4
M
= Device Code  
= Date Code  
(Note 2)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
360  
°C/W  
°C/W  
°C  
q
JA  
(Note 2)  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Lead 3  
R
143  
Y
JL  
ORDERING INFORMATION  
(Note 2)  
†
Device  
NST847BF3T5G  
Package  
Shipping  
Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to  
+150  
stg  
SOT−1123 8000/Tape & Reel  
(Pb−Free)  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
2
2
1. 100 mm 1 oz, copper traces.  
2. 500 mm 1 oz, copper traces.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008  
1
Publication Order Number:  
April, 2008 − Rev. 0  
NST847BF3/D  
 
1234

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