5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NST857BMX2T5G
NST857BMX2T5G PDF预览

NST857BMX2T5G

更新时间： 2024-02-29 07:39:56
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

阅读下载

获取价格

NST857BMX2T5G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：4.5 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：220JESD-30 代码：R-PBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：0.3 W
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.65 V
Base Number Matches：1

NST857BMX2T5G 数据手册

 浏览型号NST857BMX2T5G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NST857BMX2T5G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NST857BMX2T5G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NST857BMX2T5G的Datasheet PDF文件第5页 
NST857AMX2,  
NST857BMX2  
Product Preview  
General Purpose  
Transistors  
www.onsemi.com  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
3
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
1
BASE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
2
Rating  
Symbol  
Value  
−45  
Unit  
V
EMITTER  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
−50  
V
3
Emitter−Base Voltage  
−5.0  
−100  
−200  
V
1
2
Collector Current − Continuous  
Collector Current − Peak  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
I
mAdc  
mAdc  
C
X2DFN3 (1.0x0.6)  
CASE 714AC  
C
Symbol  
Max  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
Derate above 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
XX M  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
556  
°C/W  
q
JA  
XX = Specific Device Code  
M
= Date Code  
Total Device Dissipation Alumina  
P
D
Substrate, (Note 2) T = 25°C  
Derate above 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 4 of this data sheet.  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient  
R
417  
°C/W  
q
JA  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to +150  
°C  
J
stg  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.  
This document contains information on a product under development. ON Semiconductor  
reserves the right to change or discontinue this product without notice.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2019  
1
Publication Order Number:  
March, 2019 − Rev. P0  
NST857AMX2/D  
 
12345

下载PDF

与NST857BMX2T5G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NST86 NOVOSENSE NST86是一系列精密 CMOS 集成电路线性模拟输出温度传感器。输入电压范围从2.4V到

获取价格
NSTB1002DXV5_06 ONSEMI Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors

获取价格
NSTB1002DXV5T1 ONSEMI 100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 463B-01, 5 PIN

获取价格
NSTB1002DXV5T1G ONSEMI Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors

获取价格
NSTB1002DXV5T5 ONSEMI 100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 463B-01, 5 PIN

获取价格
NSTB1002DXV5T5G ONSEMI Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors

获取价格

与NST857BMX2T5G相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证