5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.78 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 基于收集器的最大容量： | 4.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 220 | JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 0.3 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.65 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NST86 | NOVOSENSE |
获取价格 |
NST86是一系列精密 CMOS 集成电路线性模拟输出温度传感器。输入电压范围从2.4V到 |
|
| NSTB1002DXV5_06 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors |
|
| NSTB1002DXV5T1 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 463B-01, 5 PIN |
|
| NSTB1002DXV5T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors |
|
| NSTB1002DXV5T5 | ONSEMI |
获取价格 |
100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 463B-01, 5 PIN |
|
| NSTB1002DXV5T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors |
|
| NSTB1005DXV5_04 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors |
|
| NSTB1005DXV5T1 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors |
|
| NSTB1005DXV5T1G | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors |
|
| NSTB1005DXV5T5 | ONSEMI |
获取价格 |
Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
