是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.5 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.17 W | 最大重复峰值反向电压: | 20 V |
最大反向恢复时间: | 0.012 µs | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSR05201MX4T5G | ONSEMI |
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500 mA, 20 V, Trench-based Schottky Diode in | |
NSR0520V2 | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR0520V2T1G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR0520V2T5G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR05301MX4T5G | ONSEMI |
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500 mA, 30 V, Trench-based Schottky Diode in X4DFN2 (01005) | |
NSR0530H | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR0530HT1G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR0530P2T5G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR05402NXT5G | ONSEMI |
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500 mA,40 V,肖特基势垒二极管,DSN2 (0201) | |
NSR05F20NXT5G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode |