是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-F2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 0.99 | Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released | Samacsys PartID: | 226746 |
Samacsys Pin Count: | 2 | Samacsys Part Category: | Diode |
Samacsys Package Category: | Small Outline Diode Flat Lead | Samacsys Footprint Name: | SOD-523 CASE 502 |
Samacsys Released Date: | 2016-03-15 13:50:33 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW LEAKAGE CURRENT | 应用: | EFFICIENCY |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.48 V |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 2 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 0.5 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.17 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 20 V | 最大反向电流: | 30 µA |
最大反向恢复时间: | 0.012 µs | 反向测试电压: | 10 V |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
NSR0520V2T5G | ONSEMI |
完全替代 |
Schottky Barrier Diode |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NSR0520V2T5G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode | |
NSR05301MX4T5G | ONSEMI |
获取价格 |
500 mA, 30 V, Trench-based Schottky Diode in X4DFN2 (01005) | |
NSR0530H | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR0530HT1G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR0530P2T5G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR05402NXT5G | ONSEMI |
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500 mA,40 V,肖特基势垒二极管,DSN2 (0201) | |
NSR05F20NXT5G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR05F30NXT5G | ONSEMI |
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Schottky Barrier Diode | |
NSR05F40NXT5G | ONSEMI |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode | |
NSR05F40QNXT5G | ONSEMI |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,40V V(RRM),SMT |