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NSR0240MX2T5G

更新时间： 2023-09-03 20:31:43

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安森美 - ONSEMI		功效测试二极管
页数	文件大小	规格书
5页	217K
描述
40 V, 200mA Schottky Barrier Diodes in X2DFN2 & X2DFNW2

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NSR0240MX2T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	X2DFN2, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	43 weeks 1 day	风险等级：	5.76
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.6 V
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	最大非重复峰值正向电流：	3 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	最大功率耗散：	0.3 W
最大重复峰值反向电压：	40 V	最大反向电流：	5 µA
反向测试电压：	40 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

NSR0240MX2T5G 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

Schotky Barrier Diode

NSR0240MX2

40 V SCHOTTKY

BARRIER DIODE

Schottky barrier diodes are optimized for very low forward voltage

drop and low leakage current and are used in a wide range of dc−dc

converter, clamping and protection applications in portable devices.

NSR0240MX2 in the X2DFN2 miniature package enables designers

to meet the challenging task of achieving higher efficiency and

meeting reduced space requirements.

CATHODE

ANODE

MARKING

DIAGRAM

Features

• Very Low Forward Voltage Drop: 460 mV @ 100 mA

• Low Reverse Current: 0.2 mA @ 25 V VR

• 200 mA of Continuous Forward Current

• Very High Switching Speed

R M

X2DFN2

CASE 714AB

• Low Capacitance: CT = 7 pF

R M

• NSR0240MX2WT5G − X2DFNW2 Wettable Flank Package for

Optimal Automated Optical Inspection (AOI)

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

X2DFNW2

CASE 711BG

= Specific Device Code

= Month Code

Typical Applications

• LCD and Keypad Backlighting

• Camera Photo Flash

ORDERING INFORMATION

Device

Package

Shipping†

• Buck and Boost dc−dc Converters

• Reverse Voltage and Current Protection

• Clamping & Protection

NSR0240MX2T5G

X2DFN2

(Pb−Free)

8000 /

Tape &

Reel

NSR0240MX2WT5G

X2DFNW2

(Pb−Free)

Markets

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

• Mobile Handsets & Notebook PCs

• Digital Camera and Camcorders

• GPS

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol Value

Unit

Reverse Voltage

200

3.0

Forward Current (DC)

Non−Repetitive Peak Forward Surge Current,

FSM

Square Wave, 10 ms

Repetitive Peak Forward Current,

Square Wave, 1.0 ms, D.C. = 25%

1.0

FRM

ESD Rating: Human Body Model

Machine Model

ESD

Class 1C

Class A

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

Publication Order Number:

March, 2022 − Rev. 3

NSR0240MX2/D

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NSR0240MX2WT5G	ONSEMI	获取价格	40 V, 200mA Schottky Barrier Diodes in X2DFN2 & X2DFNW2
NSR0240MXT5G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
NSR0240P2T5G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
NSR0240V2T1G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
NSR0240V2T1G_12	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
NSR0240V2T1G_14	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
NSR0240V2T5G	ONSEMI	获取价格	Schottky Barrier Diode
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