NSR0320XV6T1/D

更新时间： 2024-01-26 09:30:44

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NSR0320XV6T1 Data Sheet

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NSR0320XV6T1/D 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	1.06	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.5 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-F6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	7.5 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	23 V
最大反向电流：	50 µA	反向测试电压：	15 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NSR0320XV6T1/D 数据手册

NSR0320XV6T1

Schottky Barrier Diode

These Schottky barrier diodes are designed for high current,

handling capability, and low forward voltage performance.

• Low Forward Voltage − 0.35 Volts (Typ) @ I = 10 mAdc

• High Current Capability

http://onsemi.com

HIGH CURRENT

SCHOTTKY BARRIER DIODE

1, 2, 5, 6

3, 4

CATHODE

ANODE

MARKING

DIAGRAM

MAXIMUM RATINGS (T = 125°C unless otherwise noted)

Rating

Reverse Voltage

Forward Power Dissipation

Symbol

Value

Unit

SOT−563

CASE 463A

RD D

@ T = 25°C

200

2.0

mW/°C

Derate above 25°C

Forward Current (DC)

Continuous

RD = Specific Device Code

= Date Code

Forward Current

t = 8.3 ms Half Sinewave;

JEDEC Method

7.5

Junction Temperature

125 Max

°C

ORDERING INFORMATION

Storage Temperature Range

stg

−55 to +150

Device

Package

Shipping

3000/Tape & Reel

NSR0320XV6T1

SOT−563

Semiconductor Components Industries, LLC, 2003

Publication Order Number:

July, 2003 − Rev. 2

NSR0320XV6T1/D

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