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NSR0240MXT5G

更新时间： 2024-01-27 01:46:42
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安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 47K
描述
Schottky Barrier Diode

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NSR0240MXT5G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：X2DFN2, 2 PIN
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：5 weeks
风险等级：5.68配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PBCC-N2JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER最大功率耗散：0.3 W
最大重复峰值反向电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

NSR0240MXT5G 数据手册

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NSR0240MX  
Schottky Barrier Diode  
Schottky barrier diodes are optimized for very low forward voltage  
drop and low leakage current and are used in a wide range of dc−dc  
converter, clamping and protection applications in portable devices.  
NSR0240MX in a X2DFN2 miniature package enables designers to  
meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting  
reduced space requirements.  
www.onsemi.com  
Features  
40 V SCHOTTKY  
BARRIER DIODE  
• Very Low Forward Voltage Drop − 460 mV @ 100 mA  
• Low Reverse Current − 0.2 mA @ 25 V VR  
• 200 mA of Continuous Forward Current  
• Very High Switching Speed  
• Low Capacitance − CT = 7 pF  
• This is a Pb−Free Device  
1
2
CATHODE  
ANODE  
MARKING  
Typical Applications  
DIAGRAM  
• LCD and Keypad Backlighting  
• Camera Photo Flash  
• Buck and Boost dc−dc Converters  
• Reverse Voltage and Current Protection  
• Clamping & Protection  
R M  
X2DFN2  
CASE 714AB  
R
M
= Specific Device Code  
= Month Code  
Markets  
• Mobile Handsets  
• MP3 Players  
• Digital Camera and Camcorders  
• Notebook PCs & PDAs  
• GPS  
ORDERING INFORMATION  
Device  
Package  
Shipping†  
NSR0240MXT5G X2DFN2 8000 / Tape & Reel  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol Value  
Unit  
V
Reverse Voltage  
V
40  
200  
3.0  
R
Forward Current (DC)  
I
F
mA  
A
Non−Repetitive Peak Forward Surge Current,  
Square Wave, 10 ms  
I
FSM  
Repetitive Peak Forward Current,  
Square Wave, 1.0 ms, D.C. = 25%  
I
1.0  
A
FRM  
ESD Rating: Human Body Model  
Machine Model  
ESD  
Class 1C  
Class A  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
1
Publication Order Number:  
July, 2015 − Rev. 1  
NSR0240MX/D  
123

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