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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.40 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | R-XUUC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE900000G | NEC |
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Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900000G | CEL |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| NE900075 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900075 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| NE900089A | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900089A | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| NE9001 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900100 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| NE900100 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900100G | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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