5秒后页面跳转
NE900275 PDF预览

NE900275

更新时间: 2024-01-30 11:15:54
品牌 Logo 应用领域
CEL 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 200K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE900275 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:20 V最大漏极电流 (ID):0.6 A
FET 技术:METAL SEMICONDUCTOR最高频带:KU BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NE900275 数据手册

 浏览型号NE900275的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE900275的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE900275的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE900275的Datasheet PDF文件第5页 

与NE900275相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE900400 RENESAS

获取价格

RF SMALL SIGNAL, FET
NE900474-15 CEL

获取价格

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE900474-15 RENESAS

获取价格

KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, FET
NE900873-11 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-12 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-13 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-14 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-15 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE90100 CEL

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
NE90115 CEL

获取价格

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.25A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili