Datasheet > NE900176

NE900176

更新时间： 2024-01-17 20:12:24

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE900176 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	KU BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	9.5 dB	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

To our customers,

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

On April 1^st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology

Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both

companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Renesas Electronics website: http://www.renesas.com

April 1^st, 2010

Renesas Electronics Corporation

Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)

Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE900189A	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL, FET
NE9002	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900200	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900200	CEL	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE900200G	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900200G	CEL	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE900275	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900275	CEL	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE900400	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL, FET
NE900474-15	CEL	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,