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NE94430

更新时间： 2024-01-26 20:56:33

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		振荡器晶体晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	61K
描述
NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

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NE94430 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, 30, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.89	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2000 MHz
Base Number Matches：	1

NE94430 数据手册

NPN SILICON

NE944

OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

SERIES

DESCRIPTION

FEATURES

The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistors

is intended for use in general purpose UHF oscillator and

mixer applications. It is suitable for automotive keyless entry

and TV tuner designs.

• LOW COST

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

f^T= 2000 MHz TYP

• LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT:

CC•r b'b = 5 ps TYP

The device features stable oscillation and small frequency

drift during changes in the supply voltage and over the

ambient temperature range.

• LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE= 0.55 pF TYP

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE CODE

NE94430

2SC4184

NE94433

2SC3545

SYMBOLS

ICBO

PARAMETERS AND CONDITIONS

Collector Cutoff Current, VCB = 12 V, IE = 0

UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX

µA

0.1

100 200

0.5

0.1

100 250

0.5

hFE

DC Current Gain, VCE = 10 V, IC = 5.0 mA

VCE(sat)

Collector Saturation Voltage, IC = 10 mA, IB = 1.0 mA

Gain Bandwidth Product, VCE = 3 V, IE = 5 mA

Output Capacitance, VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1.0 MHz

GHz 1.2

2.0

1.3

2.0

COB

0.7

1.2

8.0

CC•rb'b

Collector to Base Time Constant, VCE = 3 V,

IE = -5.0 mA, f = 31.9 MHz

3.5

5.0

CRE

RTH (J-C)

RTH (J-A)

Feedback Capacitance, VCB = 10 V, IE = 0 mA, f = 1.0 MHz

Thermal Resistance, Junction to Case (infinite heat sink)

Thermal Resistance, Junction to Ambient (free air)

Power Dissipation

0.55 1.0

°C/W

200

833

150

200

620

150

Note:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7 8

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