Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE94433-T1B

NE94433-T1B

更新时间： 2024-10-01 22:29:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		振荡器晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	61K
描述
NPN SILICON OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NE94433-T1B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.05 A
集电极-发射极最大电压：	15 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1300 MHz	Base Number Matches：	1

NE94433-T1B 数据手册

NPN SILICON

NE944

OSCILLATOR AND MIXER TRANSISTOR

SERIES

DESCRIPTION

FEATURES

The NE944 series of NPN silicon epitaxial bipolar transistors

is intended for use in general purpose UHF oscillator and

mixer applications. It is suitable for automotive keyless entry

and TV tuner designs.

• LOW COST

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

f^T= 2000 MHz TYP

• LOW COLLECTOR TO BASE TIME CONSTANT:

CC•r b'b = 5 ps TYP

The device features stable oscillation and small frequency

drift during changes in the supply voltage and over the

ambient temperature range.

• LOW FEEDBACK CAPACITANCE: CRE= 0.55 pF TYP

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE CODE

NE94430

2SC4184

NE94433

2SC3545

SYMBOLS

ICBO

PARAMETERS AND CONDITIONS

Collector Cutoff Current, VCB = 12 V, IE = 0

UNITS MIN TYP MAX MIN TYP MAX

µA

0.1

100 200

0.5

0.1

100 250

0.5

hFE

DC Current Gain, VCE = 10 V, IC = 5.0 mA

VCE(sat)

Collector Saturation Voltage, IC = 10 mA, IB = 1.0 mA

Gain Bandwidth Product, VCE = 3 V, IE = 5 mA

Output Capacitance, VCB = 3 V, IE = 0 mA, f = 1.0 MHz

GHz 1.2

2.0

1.3

2.0

COB

0.7

1.2

8.0

CC•rb'b

Collector to Base Time Constant, VCE = 3 V,

IE = -5.0 mA, f = 31.9 MHz

3.5

5.0

CRE

RTH (J-C)

RTH (J-A)

Feedback Capacitance, VCB = 10 V, IE = 0 mA, f = 1.0 MHz

Thermal Resistance, Junction to Case (infinite heat sink)

Thermal Resistance, Junction to Ambient (free air)

Power Dissipation

0.55 1.0

°C/W

200

833

150

200

620

150

Note:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与NE94433-T1B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE94433-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Sili
NE960R2	NEC	获取价格	0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R200	NEC	获取价格	0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R200-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE960R275	NEC	获取价格	0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R275_01	NEC	获取价格	0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET
NE960R275-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE960R5	NEC	获取价格	0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R500	NEC	获取价格	0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
NE960R500-A	NEC	获取价格	暂无描述

与NE94433-T1B相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE94433-T1B

NE94433-T1B 技术参数

NE94433-T1B 数据手册

与NE94433-T1B相关器件

与NE94433-T1B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NE94433-T1B

NE94433-T1B 技术参数

NE94433-T1B 数据手册

与NE94433-T1B相关器件

与NE94433-T1B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？