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NE900474-15

更新时间: 2024-09-30 14:54:11
品牌 Logo 应用领域
CEL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 237K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE900474-15 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):1.2 AFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最高频带:KU BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:7.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches:1

NE900474-15 数据手册

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