生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.83 |
最大集电极电流 (IC): | 0.05 A | 基于收集器的最大容量: | 1 pF |
集电极-发射极最大电压: | 15 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 50 | 最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 2000 MHz | VCEsat-Max: | 0.5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE960R2 | NEC |
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0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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NE960R200 | NEC |
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0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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NE960R200-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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NE960R275 | NEC |
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0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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NE960R275_01 | NEC |
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0.2W X, Ku-BAND POWER GaAs MESFET |
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NE960R275-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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NE960R5 | NEC |
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0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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NE960R500 | NEC |
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0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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NE960R500-A | NEC |
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暂无描述 |
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NE960R575 | NEC |
获取价格 |
0.5 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET |
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