NE900200G PDF预览

NE900200G

更新时间: 2025-08-17 20:28:19
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 200K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET

NE900200G 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:UNCASED CHIP, R-XUUC-N5
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.40风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):0.6 AFET 技术:METAL SEMICONDUCTOR
最高频带:KU BANDJESD-30 代码:R-XUUC-N5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:UNCASED CHIP
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches:1

NE900200G 数据手册

 浏览型号NE900200G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE900200G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE900200G的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE900200G的Datasheet PDF文件第5页 

与NE900200G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE900275 NEC

获取价格

Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900275 CEL

获取价格

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE900400 RENESAS

获取价格

RF SMALL SIGNAL, FET
NE900474-15 RENESAS

获取价格

KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, FET
NE900474-15 CEL

获取价格

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
NE900873-11 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-12 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-13 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-14 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD
NE900873-15 ETC

获取价格

TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD