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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.06 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.06 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N5 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 3 W | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE900275 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900275 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| NE900400 | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL, FET |
|
| NE900474-15 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| NE900474-15 | RENESAS |
获取价格 |
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, FET |
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| NE900873-11 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD |
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| NE900873-12 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE900873-13 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE900873-14 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD |
|
| NE900873-15 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 1.2A I(DSS) | RFMOD |
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