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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最高频带： | KU BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE900089A | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900089A | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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| NE9001 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
|
| NE900100 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| NE900100 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
|
| NE900100G | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
|
| NE900100G | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
|
| NE900175 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
|
| NE900175 | RENESAS |
获取价格 |
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, FET |
|
| NE900175 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
|
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