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NE900175

更新时间： 2024-09-30 20:08:03

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	604K
描述
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, FET

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NE900175 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	8 dB
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

To our customers,

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

On April 1^st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology

Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both

companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Renesas Electronics website: http://www.renesas.com

April 1^st, 2010

Renesas Electronics Corporation

Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)

Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NE9002	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900200	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900200	CEL	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE900200G	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900200G	CEL	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE900275	NEC	获取价格	Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET
NE900275	CEL	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S
NE900400	RENESAS	获取价格	RF SMALL SIGNAL, FET