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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, S-CQMW-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.15 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | KU BAND | JESD-30 代码： | S-CQMW-F4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | MICROWAVE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE9001 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900100 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
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| NE900100 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900100G | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE900100G | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
|
| NE900175 | NEC |
获取价格 |
Ku-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
|
| NE900175 | RENESAS |
获取价格 |
KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, FET |
|
| NE900175 | CEL |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal S |
|
| NE900176 | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL, FET |
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| NE900189A | RENESAS |
获取价格 |
RF SMALL SIGNAL, FET |
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