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NE85633-T1B

更新时间： 2024-11-01 20:35:07

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
26页	626K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3

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NE85633-T1B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	1 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	7000 MHz	Base Number Matches：	1

NE85633-T1B 数据手册

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NE856 SERIES

NEC's NPN SILICON HIGH

FREQUENCY TRANSISTOR

FEATURES

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 7 GHz

• LOW NOISE FIGURE:

1.1 dB at 1 GHz

• HIGH COLLECTOR CURRENT: 100 mA

• HIGH RELIABILITY METALLIZATION

• LOW COST

35 (MICRO-X)

00 (CHIP)

DESCRIPTION

NEC's NE856 series of NPN epitaxial silicon transistors is

designedforlowcostamplifierandoscillatorapplications. Low

noise figures, high gain, and high current capability equate to

wide dynamic range and excellent linearity. The NE856 series

offers excellent performance and reliability at low cost. This is

achieved by NEC's titanium/platinum/gold metallization sys-

tem and their direct nitride passivated base surface process.

The NE856 series is available in chip form and a Micro-x

package for high frequency applications. It is also available in

several low cost plastic package styles.

32 (TO-92)

34 (SOT 89 STYLE)

19 (3 PIN ULTRA SUPER

MINI MOLD)

18 (SOT 343 STYLE)

NE85600

NOISE FIGURE AND GAIN

vs. FREQUENCY

VCC = 10 V, IC 7 mA

4.0

3.5

MSG

MAG

3.0

2.5

2.0

30 (SOT 323 STYLE)

33 (SOT 23 STYLE)

NFMIN

1.5

1.0

0.4 0.5

1.0

Frequency, f (GHz)

39 (SOT 143 STYLE)

39R (SOT 143R STYLE)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm

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Date Published: June 28, 2005

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE85633-T1B-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85633-T1B-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85633-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85634	NEC	获取价格	NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85634-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85634-T1	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85634-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85634-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85634-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85635	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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