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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE856M02
NE856M02 PDF预览

NE856M02

更新时间： 2024-09-26 21:55:27
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体放大器小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 64K
描述
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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NE856M02 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：M02, 6 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
配置：SINGLE最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：1
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：6500 MHzBase Number Matches：1

NE856M02 数据手册

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NPN EPITAXIAL SILICON  
TRANSISTOR HIGH FREQUENCY  
LOW DISTORTION AMPLIFIER  
NE856M02  
FEATURES  
OUTLINE DIMENSIONS(Units in mm)  
PACKAGE OUTLINE M02  
•
•
•
•
HIGH COLLECTOR CURRENT:  
100 mA MAX  
NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE  
(SOT-89 TYPE)  
HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION:  
22 dBm TYP at 1 GHz  
HIGH IP3:  
BOTTOM VIEW  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
1.5±0.1  
32 dBm TYP at 1 GHz  
C
E
B
E
DESCRIPTION  
The NE856M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor  
designed for medium power applications requiring high dy-  
namic range and low intermodulation distortion. This device  
offers excellent performance and reliability at low cost through  
NEC's titanium, platinum, gold metallization system and direct  
nitride passivation of the surface of the chip. The NE856M02  
isanexcellentchoiceforlownoiseamplifiersintheVHFtoUHF  
band and is suitable for CATV and other telecommunication  
applications.  
0.42  
±0.06  
0.42  
±0.06  
0.25±0.02  
0.45  
±0.06  
1.5  
3.0  
PIN CONNECTIONS  
E: Emitter  
C: Collector  
B: Base  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
EIAJ1 REGISTERED NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
NE856M02  
2SC5336  
M02  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
1.0  
ICBO  
IEBO  
Collector Cutoff Current at VCB = 10 V, IE = 0  
µA  
µA  
Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0  
1.0  
2
hFE  
DC Current Gain at VCE = 10 V, IC = 20 mA  
50  
120  
6.5  
250  
fT  
Gain Bandwidth Product at VCE = 10 V, IC = 20 mA  
Feed-back Capacitance at VCB = 10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz  
Insertion Power Gain at VCE = 10 V, IC = 20 mA, f = 1 GHz  
Noise Figure 1 at VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
Noise Figure 2 at VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz  
GHz  
pF  
3
CRE  
0.5  
0.8  
3.0  
|S21E|2  
dB  
12.0  
1.1  
NF1  
dB  
NF2  
dB  
1.8  
Notes:  
1. Electronic Industrial Association of Japan.  
2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.  
3.The emitter terminal should be connected to the ground terminal of the 3 terminal capacitance bridge.  
California Eastern Laboratories  
1234567

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