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NE894M13

更新时间： 2024-01-15 18:58:30

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CEL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	474K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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NE894M13 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.035 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	50	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.105 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	17000 MHz	Base Number Matches：	1

NE894M13 数据手册

NPN SILICON TRANSISTOR NE894M13

OUTLINE DIMENSIONSꢀ(Unitsꢀinꢀmm)

FEATURES

PACKAGE OUTLINE M13

•

ꢀ

NEW MINIATURE M13 PACKAGE:ꢀ

ꢀ

–ꢀSmallꢀtransistorꢀoutlineꢀꢀ

–ꢀ1.0ꢀXꢀ0.5ꢀXꢀ0.5ꢀmmꢀ

ꢀ

0.7 0.05

ꢀ

(Bottom View)

+0.1

–ꢀꢀLowꢀproﬁleꢀ/ꢀ0.50ꢀmmꢀpackageꢀheightꢀ ꢀ

–ꢀꢀFlatꢀleadꢀstyleꢀforꢀbetterꢀRFꢀperformance

0.5

ñ0.05

0.3

•

IDEAL FOR > 3 GHz OSCILLATORS

LOW NOISE, HIGH GAIN

LOW Cre

UHSO 25 GHz PROCESS

DESCRIPTION

NEC'sꢀꢀNE894M13ꢀtransistorꢀisꢀdesignedꢀforꢀoscillatorꢀapplica-

tionsꢀaboveꢀ3ꢀGHz.ꢀTheꢀNE894M13ꢀfeaturesꢀlowꢀvoltage,ꢀlowꢀ

currentꢀoperation,ꢀlowꢀnoise,ꢀandꢀhighꢀgain.ꢀNEC'sꢀnewꢀlowꢀ

proﬁle/ﬂatꢀleadꢀstyleꢀ"M13"ꢀpackageꢀisꢀidealꢀforꢀtoday'sꢀportableꢀ

wirelessꢀapplications.ꢀ

0.2

0.1

PIN CONNECTIONS

1. Emitter

2. Base

3. Collector

ELECTRICAL CHARACTERISTICSꢀ(TAꢀ=ꢀ25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE894M13

2SC5787

M13

SYMBOLS

fTꢀ

PARAMETERS AND CONDITIONS

GainꢀBandwidthꢀatꢀVCEꢀ=ꢀ1ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ20ꢀmA,ꢀfꢀ=ꢀ2ꢀGHzꢀ

InsertionꢀPowerꢀGainꢀatꢀVCEꢀ=ꢀ1ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ20ꢀmA,ꢀfꢀ=ꢀ2ꢀGHzꢀ

NoiseꢀFigureꢀatꢀVCEꢀ=ꢀ1ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ5ꢀmA,ꢀfꢀ=ꢀ2ꢀGHz,ꢀZSꢀ=ꢀZOPTꢀ

ReverseꢀTransferꢀCapacitance³ꢀatꢀVCBꢀ=ꢀ0.5ꢀV,ꢀIEꢀ=ꢀ0ꢀmA,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHzꢀ

CollectorꢀCutoffꢀCurrentꢀatꢀVCBꢀ=ꢀ5ꢀV,ꢀIEꢀ=ꢀ0ꢀ

UNITS

MIN

TYP

20ꢀ

13ꢀ

1.4ꢀ

0.22ꢀ

–ꢀ

MAX

–

ꢀꢀꢀ

ꢀ

GHzꢀ

dBꢀ

pFꢀ

nAꢀ

ꢀ

17ꢀ

11ꢀ

–ꢀ

|S21E|²ꢀ

–

ꢀ

|NFꢀ

2.5ꢀ

0.30

100

ꢀ

Creꢀ

–ꢀ

ꢀ

ICBOꢀ

IEBOꢀ

hFEꢀ

–ꢀ

ꢀ

EmitterꢀCutoffꢀCurrentꢀatꢀVEBꢀ=ꢀ1ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ0ꢀ

–ꢀ

ꢀ

DCꢀCurrentꢀGain²ꢀatꢀVCEꢀ=ꢀ1ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ5ꢀmAꢀ

50ꢀ

–ꢀ

Notes:ꢀꢀ

1.ꢀElectronicꢀIndustrialꢀAssociationꢀofꢀJapan.

2.ꢀPulsedꢀmeasurement,ꢀpulseꢀwidthꢀ≤ 350ꢀμs,ꢀdutyꢀcycleꢀ≤ꢀ2ꢀ%.

3.ꢀCollectorꢀtoꢀbaseꢀcapacitanceꢀwhenꢀtheꢀemitterꢀisꢀgrounded

California Eastern Laboratories

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE894M13-A	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE894M13-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,BJT,NPN,3V V(BR)CEO,35MA I(C),SOT-416VAR
NE894M13-T3-A	CEL	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
NE8FAAH0-0-B	ETC	获取价格	N e u t r i k Â® P a r t N u m b e r G u i d
NE8FAH	ETC	获取价格	SOCKET ETHERCON PCB
NE8FAH0-0-B	ETC	获取价格	N e u t r i k Â® P a r t N u m b e r G u i d
NE8FAVYK	ETC	获取价格	SOCKET ETHERCON IDC
NE8MAAH0-0-B	ETC	获取价格	N e u t r i k Â® P a r t N u m b e r G u i d
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NE8MC	ETC	获取价格	PLUG FREE ETHERCON

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