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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号双极晶体管> NE856M13
NE856M13 PDF预览

NE856M13

更新时间： 2024-02-28 07:57:20
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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NE856M13 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.45
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：1.5 pF
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4500 MHzBase Number Matches：1

NE856M13 数据手册

 浏览型号NE856M13的Datasheet PDF文件第2页 
PRELIMINARY DATA SHEET  
NPN SILICON TRANSISTOR NE856M13  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
FEATURES  
PACKAGE OUTLINE M13  
•
NEW MINIATURE M13 PACKAGE:  
– Small transistor outline –  
1.0 X 0.5 X 0.5 mm  
+0.1  
+0.1  
0.5  
–0.05  
0.3  
0.15  
–0.05  
– Low profile / 0.50 mm package height  
– Flat lead style for better RF performance  
1
2
0.35  
•
•
LOW NOISE FIGURE:  
NF = 1.4 dB at 1 GHz  
+0.1  
–0.05  
+0.1  
–0.05  
1.0  
0.7  
3
3
0.2  
0.35  
HIGH COLLECTOR CURRENT:  
IC MAX = 100 mA  
2
1
+0.1  
–0.05  
0.15  
0.1  
0.1  
0.2  
DESCRIPTION  
0.2  
Bottom View  
+0.1  
–0.05  
The NE856M13 transistor is designed for low cost amplifier  
andoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhigh  
current capability equate to wide dynamic range and excellent  
linearity. NEC's new low profile/flat lead style "M13" package  
is ideal for today's portable wireless applications. The NE856  
is also available in chip, Micro-x, and eight different low cost  
plastic surface mount package styles.  
0.5±0.05  
0.125  
PIN CONNECTIONS  
1. Emitter  
2. Base  
3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
EIAJ1 REGISTERED NUMBER  
PACKAGE OUTLINE  
NE856M13  
2SC5614  
M13  
SYMBOLS  
PARAMETERS AND CONDITIONS  
UNITS  
MIN  
TYP  
MAX  
fT  
Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz  
Forward Current Gain at VCE = 3 V, IC = 7 mA  
Collector Cutoff Current at VCB = 10 V, IE = 0  
Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0  
GHz  
dB  
3
4.5  
1.4  
10  
NF  
|S21E|2  
2.5  
dB  
7
2
hFE  
80  
145  
1
ICBO  
IEBO  
µA  
µA  
pF  
1
3
CRE  
Feedback Capacitance at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz  
0.7  
1.5  
Notes:  
1. Electronic Industrial Association of Japan.  
2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.  
3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.  
California Eastern Laboratories  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE856M23 NEC

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