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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| 长度： | 36.51 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 电信集成电路类型： | ETHERNET TRANSCEIVER | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE87100 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 30MA I(C) | CHIP |
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| NE87112 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | TO-72 |
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| NE88900 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50MA I(C) | CHIP |
|
| NE88902 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50MA I(C) | MACRO-X |
|
| NE88912 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50MA I(C) | TO-72 |
|
| NE88933 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50MA I(C) | TO-236 |
|
| NE88935 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50MA I(C) | SOT-173 |
|
| NE894M03 | CEL |
获取价格 |
NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
|
| NE894M13 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| NE894M13 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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