NE856M23

更新时间： 2024-02-18 05:14:26

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管
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描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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NE856M23 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	1.5 pF	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	SINGLE	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4500 MHz
Base Number Matches：	1

NE856M23 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

NPN SILICON TRANSISTOR NE856M23

OUTLINE DIMENSIONS ^{(Units in mm)}

FEATURES

PACKAGE OUTLINE M23

•

NEW MINIATURE M23 PACKAGE:

– World's smallest transistor package footprint —

leads are completely underneath package body

– Low profile/0.55 mm package height

0.5

– Ceramic substrate for better RF performance

0.25

0.4

•

LOW NOISE FIGURE:

NF = 1.4 dB at 1 GHz

HIGH COLLECTOR CURRENT:

IC MAX = 100 mA

0.25

DESCRIPTION

0.2

0.15

0.6

The NE856M23 transistor is designed for low cost amplifier

andoscillatorapplications.Lownoisefigure,highgainandhigh

current capability equate to wide dynamic range and excellent

linearity. NEC's new low profile/ceramic substrate style "M23"

package is ideal for today's portable wireless applications. The

NE856 is also available in chip, Micro-x, and eight different low

cost plastic surface mount package styles.

BOTTOM VIEW

PIN CONNECTIONS

1. Collector

2. Emitter

3. Base

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PART NUMBER

EIAJ¹REGISTERED NUMBER

PACKAGE OUTLINE

NE856M23

2SC5649

M23

SYMBOLS

PARAMETERS AND CONDITIONS

UNITS

MIN

TYP

MAX

Gain Bandwidth at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

Noise Figure at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

Insertion Power Gain at VCE = 3 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

Forward Current Gain at VCE = 3 V, IC = 7 mA

Collector Cutoff Current at VCB = 10 V, IE = 0

Emitter Cutoff Current at VEB = 1 V, IC = 0

GHz

4.5

1.4

|S21E|²

2.5

10.0

hFE

145

ICBO

IEBO

µA

CRE

Feedback Capacitance at VCB = 3 V, IE = 0, f = 1 MHz

0.7

1.5

Notes:

1. Electronic Industrial Association of Japan.

2. Pulsed measurement, pulse width ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %.

3. Capacitance is measured with emitter and case connected to the guard terminal at the bridge.

California Eastern Laboratories

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NE86C92D	NXP	获取价格	IC DATACOM, ETHERNET TRANSCEIVER, PDSO28, Network Interface
NE86C92D-T	NXP	获取价格	IC DATACOM, ETHERNET TRANSCEIVER, PDSO28, Network Interface
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