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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.24 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE, HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 1 pF | 集电极-发射极最大电压： | 12 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| 最高频带： | L BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e6 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 7000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NE85633-T1B | CEL |
类似代替  |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE85633-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| NE85634 | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE85634-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| NE85634-T1 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE85634-T1-A | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| NE85634-T1-A | NEC |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| NE85634-T2 | CEL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
|
| NE85635 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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| NE85635 | NEC |
获取价格 |
NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
|
| NE85635-A | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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