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NE85639R-T1

更新时间： 2024-02-18 14:10:16

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		/
页数	文件大小	规格书
26页	626K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, PLASTIC, 39R, 4 PIN

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NE85639R-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT-143	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.37	其他特性：	LOW NOISE, HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.9 pF
集电极-发射极最大电压：	12 V	配置：	SINGLE
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz
Base Number Matches：	1

NE85639R-T1 数据手册

NPN SILICON RF TRANSISTOR

NE856 SERIES

NEC's NPN SILICON HIGH

FREQUENCY TRANSISTOR

FEATURES

• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:

fT = 7 GHz

• LOW NOISE FIGURE:

1.1 dB at 1 GHz

• HIGH COLLECTOR CURRENT: 100 mA

• HIGH RELIABILITY METALLIZATION

• LOW COST

35 (MICRO-X)

00 (CHIP)

DESCRIPTION

NEC's NE856 series of NPN epitaxial silicon transistors is

designedforlowcostamplifierandoscillatorapplications. Low

noise figures, high gain, and high current capability equate to

wide dynamic range and excellent linearity. The NE856 series

offers excellent performance and reliability at low cost. This is

achieved by NEC's titanium/platinum/gold metallization sys-

tem and their direct nitride passivated base surface process.

The NE856 series is available in chip form and a Micro-x

package for high frequency applications. It is also available in

several low cost plastic package styles.

32 (TO-92)

34 (SOT 89 STYLE)

19 (3 PIN ULTRA SUPER

MINI MOLD)

18 (SOT 343 STYLE)

NE85600

NOISE FIGURE AND GAIN

vs. FREQUENCY

VCC = 10 V, IC 7 mA

4.0

3.5

MSG

MAG

3.0

2.5

2.0

30 (SOT 323 STYLE)

33 (SOT 23 STYLE)

NFMIN

1.5

1.0

0.4 0.5

1.0

Frequency, f (GHz)

39 (SOT 143 STYLE)

39R (SOT 143R STYLE)

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Date Published: June 28, 2005

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE85639R-T1-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85639R-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85639-T1	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85639-T1	NEC	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE85639-T1-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85639-T1-A	NEC	获取价格	L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-4
NE85639-T2	CEL	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic
NE856M02	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE856M02	CEL	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE856M02-T1	NEC	获取价格	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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