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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-261 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.1 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 40 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 120 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| NDT014/S62Z | TI | 2.7A, 60V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261 |
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| NDT014_NL | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDT014J23Z | FAIRCHILD | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| NDT014L | FAIRCHILD | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDT014L | ONSEMI | N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，60V，2.8A，160mΩ |
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| NDT014L/D84Z | TI | 暂无描述 |
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