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NCE3407

更新时间： 2024-11-18 05:51:59

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新洁能 - NCEPOWER		/
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7页	307K
描述
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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NCE3407 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE3407

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

DESCRIPTION

The NCE3407 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

GENERAL FEATURES

● V_DS= -30V,I_D= -4.1A

Schematic diagram

R_DS(ON)< 87mΩ @ V_GS=-4.5V

R_DS(ON)< 60mΩ @ V_GS=-10V

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface Mount Package

Marking and pin Assignment

Application

●PWM applications

●Load switch

SOT-23 top view

●Power management

Package Marking And Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

3407

NCE3407

SOT-23

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

V^DS

V^GS

I_D

±20

-4.1

-20

Drain Current-Pulsed (Note 1)

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.4

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)

R_θJA

℃/W

Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

-30

V_DS=-24V,V_GS=0V

-1

μA

Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

Page 1

v1.0

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