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NCE3417

更新时间： 2024-11-22 15:18:07

品牌	Logo	应用领域
新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	272K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE3417 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE3417

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE3417 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications.

General Features

● V_DS= -12V,I_D= -4.4A

R_DS(ON)< 56mΩ @ V_GS=-2.5V

Schematic diagram

Marking and pin Assignment

SOT-23 top view

R_DS(ON)< 40mΩ @ V_GS=-4.5V

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Application

● PWM applications

● Load switch

● Power management

Package Marking And Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

3417 Ẋ

NCE3417

SOT-23

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-12

Unit

Drain-Source Voltage

V^DS

V^GS

I_D

Gate-Source Voltage

±12

-4.4

-15

Drain Current -Continuous

Drain Current -Pulsed ^{(Note 1)}

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.8

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

v1.1

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