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NCE3N170D

更新时间： 2024-11-22 15:19:19

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新洁能 - NCEPOWER		/
页数	文件大小	规格书
7页	635K
描述
???新洁能推出了1500V和1700V系列功率VDMOS，具有如下特点：1）?耐压余量大：保证器件在低温至-40℃时，仍能100%保证耐压大于额定电压的要求；为器件工作在户外或极寒工况下，提供最

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NCE3N170D 数据手册

NCE3N170D

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description

The series of Power MOSFETs use advanced

technology and design.This high voltage MOSFET fits

Switched applications.

V_{DS min@Tjmax}

R_DS(ON)TYP

1850

2.9

Features

●High speed switching

●Intrinsic capacitances and Qg minimized

●100% Avalanche Tested

Application

●

Switched applications

Schematic diagram

Package Marking And Ordering Information

Device

Device Package

Marking

NCE3N170D

TO-263

NCE3N170D

TO-263

Table 1. Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃)

Parameter

Symbol

VDS

NCE3N170D

1700

Unit

Drain-Source Voltage (VGS=0V）

Gate-Source Voltage (VDS=0V) DC

Continuous Drain Current at Tc=25°C

Continuous Drain Current at Tc=100°C

Pulsed drain current ^{(Note 1)}

±30

VGS

2.9

I_{D (DC)}

I_{DM (pluse)}

P_D

2.03

8.7

Maximum Power Dissipation(Tc=25°C)

Derate above 25°C

187

1.24

W/°C

(Note 2)

210

EAS

I_AS

Single pulse avalanche energy

(Note 2)

2.9

Single pulse avalanche current

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55...+175

°C

T_J,T_STG

* limited by maximum junction temperature

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page 1

http://www.ncepower.com V1.0

12 3 4 5 6 7

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