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NCE3415*

更新时间： 2024-11-19 15:18:55

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
8页	686K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE3415* 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE3415

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE3415 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications .It is ESD protested.

General Features

● V_DS= -20V,I_D=-4A

Schematic diagram

R_DS(ON)< 36mΩ @ V_GS=-4.5V

R_DS(ON)< 49mΩ @ V_GS=-2.5V

ESD Rating: 2500V HBM

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin Assignment

Application

● PWM application

● Load switch

SOT-23 top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

NCE3415

SOT-23

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-20

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current-Continuous

VDS

VGS

I_D

±10

-4

Drain Current-Pulsed (Note 1)

-30

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.4

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)

R_θJA

℃/W

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

v5.0

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