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NCE3415E*

更新时间： 2024-11-19 17:02:11

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新洁能 - NCEPOWER		开关
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7页	242K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE3415E* 数据手册

http://www.ncepower.com

NCE3415E

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE3415E uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications .It is ESD protested.

Schematic diagram

General Features

● V_DS= -20V,I_D=-4A

R_DS(ON)< 60mΩ @ V_GS=-2.5V

R_DS(ON)< 45mΩ @ V_GS=-4.5V

ESD Rating: 4000V HBM

● High Power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin Assignment

Application

● PWM application

● Load switch

SOT-23 top view

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

3415E Ẋ

NCE3415E

SOT-23

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-20

Unit

Drain-Source Voltage

V^DS

V^GS

I_D

Gate-Source Voltage

±10

-4

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

-30

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.4

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

89.3

℃/W

Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min

Typ

Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

-20

V_DS=-20V,V_GS=0V

μA

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

v2.0

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