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NCE3415Y*

更新时间: 2024-11-19 17:00:51
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新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 263K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFET产品,采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

NCE3415Y* 数据手册

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Pb Free Product  
http://www.ncepower.com  
NCE3415Y  
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE3415Y uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as1.8V. This device is suitable for use as a  
load switch or in PWM applications .It is ESD protested.  
Schematic diagram  
General Features  
VDS = -20V,ID =-4A  
RDS(ON) < 60m@ VGS=-2.5V  
RDS(ON) < 45m@ VGS=-4.5V  
ESD Rating: 2500V HBM  
High Power and current handing capability  
Lead free product is acquired  
Surface mount package  
Marking and pin Assignment  
Application  
PWM application  
Load switch  
SOT-23-3L top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
3000 units  
3415Y  
NCE3415Y  
SOT-23-3L  
Ø180mm  
8 mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25unless otherwise noted)  
Parameter Symbol  
Limit  
-20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
V
VDS  
VGS  
ID  
Gate-Source Voltage  
±10  
-4  
Drain Current-Continuous  
Drain Current-Pulsed (Note 1)  
A
-30  
A
IDM  
Maximum Power Dissipation  
1.4  
W
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2)  
RθJA  
89.3  
/W  
Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd  
Page 1  
v1.0  

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