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NCE3407E

更新时间： 2024-11-19 15:18:47

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新洁能 - NCEPOWER		开关
页数	文件大小	规格书
7页	729K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE3407E 数据手册

Pb Free Product

http://www.ncepower.com

NCE3407E

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description

The NCE3407E uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON). This device is suitable for use as a load

switch or in PWM applications.It is ESD protected.

General Features

● V_DS= -30V,I_D= -4.3A

Schematic diagram

R_DS(ON)= 28mΩ @ V_GS=-10V (typ)

R_DS(ON)= 38mΩ @ V_GS=-4.5V (typ)

ESD Rating: 1300V HBM

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

Marking and pin Assignment

Application

●PWM applications

●Load switch

●Power management

SOT-23 top view

Package Marking And Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity

3000 units

3407E

NCE3407E

SOT-23

Ø180mm

8 mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter Symbol

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

VGS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

-4.3

-20

Drain Current-Continuous

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

I_DM

Maximum Power Dissipation

1.5

℃

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

-55 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

℃/W

Electrical Characteristics (T_A=25℃unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Condition

Min Typ Max

Unit

Off Characteristics

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V I_D=-250μA

V_DS=-30V,V_GS=0V

-30

-1

μA

Wuxi NCE Power Co., Ltd

Page1

V1.0

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