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NCE4012S

更新时间： 2024-11-19 15:18:51
品牌 Logo 应用领域
新洁能 - NCEPOWER 开关
页数 文件大小 规格书
7页 369K
描述
新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFET产品，采用先进的工艺制造技术、更优的工艺条件、精细优化的器件结构不断优化产品导通电阻、开关特性、可靠性等

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NCE4012S  
http://www.ncepower.com  
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET  
Description  
The NCE4012S uses advanced trench technology and  
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It  
can be used in a wide variety of applications.  
General Features  
● VDS =40V,ID =12A  
Schematic diagram  
RDS(ON) <12mΩ @ VGS=10V (Typ. 8.4 mΩ)  
RDS(ON) <18mΩ @ VGS=4.5V (Typ. 12.3 mΩ)  
● High density cell design for ultra low Rdson  
● Fully characterized avalanche voltage and current  
● Good stability and uniformity with high EAS  
● Excellent package for good heat dissipation  
● Special process technology for high ESD capability  
Marking and pin Assignment  
Application  
● Load switching  
● Hard switched and high frequency circuits  
● Uninterruptible power supply  
SOP-8 top view  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Device Package  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
4000 units  
NCE4012S  
NCE4012S  
SOP-8  
Ø330mm  
12mm  
Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Limit  
40  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current-Continuous  
V
V
VDS  
±20  
VGS  
12  
8.5  
60  
3
A
ID  
Drain Current-Continuous(TC=100℃)  
Pulsed Drain Current  
ID (100℃)  
IDM  
A
A
Maximum Power Dissipation  
W
℃
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55 To 150  
TJ,TSTG  
Thermal Characteristic  
Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2)  
RθJA  
41.7  
℃/W  
Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min Typ  
Max  
Unit  
Off Characteristics  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BVDSS  
IDSS  
VGS=0V ID=250μA  
40  
-
45  
-
-
V
VDS=40V,VGS=0V  
1
μA  
Wuxi NCE Power Co., Ltd  
Page 1  
V2.0  
1234567

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与NCE4012S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NCE4015S NCEPOWER

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 		新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE
NCE4017019BG025008-40.0M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 40MHz Nom, LCC-4
NCE4017019CA020000-19.44M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 19.44MHz Nom, LCC-4
NCE4017019CB005000-40.0M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 40MHz Nom, LCC-4
NCE4017019CH015005-19.44M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 19.44MHz Nom, LCC-4
NCE4017019CH020005-19.44M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 19.44MHz Nom, LCC-4
NCE4017019FB010005-19.44M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 19.44MHz Nom, LCC-4
NCE4017019KF010005-10.0M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 10MHz Nom, LCC-4
NCE4017026AA020000-40.0M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 40MHz Nom, LCC-4
NCE4017026AA025008-10.0M PLETRONICS

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 		Clipped Sine Output Oscillator, 10MHz Nom, LCC-4

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