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MT3S106

更新时间： 2024-02-07 17:27:51

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东芝 - TOSHIBA		/
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73页	1582K
描述
Bipolar Small-Signal Transistors

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MT3S106 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.4
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.08 A	基于收集器的最大容量：	0.7 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	110	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)：	8500 MHz	Base Number Matches：	1

MT3S106 数据手册

ES6

US6

SM6

2.9

1.6

2.0

(mm)

NPN

PNP

PNP + NPN

NPN

PNP

PNP + NPN

HN1B01FU

(▲8)

NPN

PNP

PNP + NPN

HN1C01FE

(▲10) HN1A01FE

HN2C01FE

(▲12) HN2A01FE

HN3C67FE

HN1C01FU

(▲10) HN1A01FU

(▲7) HN1B04FE HN2C01FU

(▲12) HN2A01FU

HN1A01F HN1B01F

(▲7) HN1B04FU HN1C01F

(▲7)

(▲8)

(▲9)

(▲11) HN3B02FU

(▲14)

(▲10) HN3A56F

HN3B01F

(▲11)

HN3C56FU

(▲16)

(▲13)

(▲17)

(▲15)

HN1B04F

(▲8)

HN1C07F HN1A07F

(▲10)

(▲7)

HN3C51F HN3A51F

(▲15)

(▲16)

HN1C05FE

(▲10)

HN1A02F

(▲7)

HN1C03FU

(▲10)

HN1C03F

(▲10)

HN3C61FU

(▲15)

*: New product

**: Under development

2010/9ꢀSCE0004K

1...3 4 567 8 9...73

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