生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DISK BUTTON, O-PRDB-F3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.82 | 最大集电极电流 (IC): | 0.2 A |
基于收集器的最大容量: | 2 pF | 集电极-发射极最大电压: | 15 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 90 |
最高频带: | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码: | O-PRDB-F3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | DISK BUTTON |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 1.2 W |
最小功率增益 (Gp): | 11 dB | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | RADIAL | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 5000 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MRF581 | ASI |
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NPN SILICON RF TRANSISTOR | |
MRF581 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF581 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF581 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Macro-X | |
MRF581_08 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF5811LT1 | MOTOROLA |
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LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON | |
MRF5811MLT1 | NJSEMI |
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Bipolar Transistor | |
MRF5812 | MICROSEMI |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS | |
MRF5812 | ASI |
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NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR | |
MRF5812 | ADPOW |
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RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |