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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-PRDB-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 基于收集器的最大容量： | 2 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | O-PRDB-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1.2 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 11 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | RADIAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 5000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRF580A | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silic |
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| MRF581 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF TRANSISTOR |
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| MRF581 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF581 | ADPOW |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF581 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 18V 0.2A 4-Pin Macro-X |
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| MRF581_08 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
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| MRF5811LT1 | MOTOROLA |
获取价格 |
LOW NOISE HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR NPN SILICON |
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| MRF5811MLT1 | NJSEMI |
获取价格 |
Bipolar Transistor |
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| MRF5812 | MICROSEMI |
获取价格 |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
|
| MRF5812 | ASI |
获取价格 |
NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR |
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