Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF19085LSR3

MRF19085LSR3

更新时间： 2024-01-15 19:30:50

品牌	Logo	应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
12页	585K
描述
RF Power Field Effect Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MRF19085LSR3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.31.00.01
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	65 V	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFP-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	273 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRF19085LSR3 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

Order this document

by MRF19085/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications.

MRF19085R3

MRF19085LR3

MRF19085SR3

MRF19085LSR3

• Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V_DD= 26 Volts,

_DQ= 850 mA, P_out= 18 Watts Avg., f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz

IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)

1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured

over a 30 kHz Bandwidth at f1 -885 Khz and f2 +885 kHz. Distortion

Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 -2.5 MHz and

f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Output Power — 18 Watts Avg.

1990 MHz, 90 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 13.0 dB

Efficiency — 23%

ACPR — -51 dB

IM3 — -36.5 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF19085R3,MRF19085LR3

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 90 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF19085SR3, MRF19085LSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

273

1.56

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value (1)

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.79

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

(1) Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.motorola.com/semiconductors/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19085R3 MRF19085LR3 MRF19085SR3 MRF19085LSR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与MRF19085LSR3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19085R3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19085S	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN
MRF19085SR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19090	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19090	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19090R3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19090S	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19090SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19090SR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19120	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

与MRF19085LSR3相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

9
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

9
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

11
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF19085LSR3

MRF19085LSR3 技术参数

MRF19085LSR3 数据手册

与MRF19085LSR3相关器件

与MRF19085LSR3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MRF19085LSR3

MRF19085LSR3 技术参数

MRF19085LSR3 数据手册

与MRF19085LSR3相关器件

与MRF19085LSR3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？