Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF19085R3

MRF19085R3

更新时间： 2024-11-14 22:23:59

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
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描述
RF Power Field Effect Transistors

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MRF19085R3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.07	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	273 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF19085R3 数据手册

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Freescale Semiconductor, Inc.

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by MRF19085/D

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from

1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier

applications.

MRF19085R3

MRF19085LR3

MRF19085SR3

MRF19085LSR3

• Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for V_DD= 26 Volts,

_DQ= 850 mA, P_out= 18 Watts Avg., f1 = 1960 MHz, f2 = 1962.5 MHz

IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)

1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured

over a 30 kHz Bandwidth at f1 -885 Khz and f2 +885 kHz. Distortion

Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 -2.5 MHz and

f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Output Power — 18 Watts Avg.

1990 MHz, 90 W, 26 V

LATERAL N-CHANNEL

RF POWER MOSFETs

Power Gain — 13.0 dB

Efficiency — 23%

ACPR — -51 dB

IM3 — -36.5 dBc

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

CASE 465-06, STYLE 1

NI-780

MRF19085R3,MRF19085LR3

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 90 Watts CW

Output Power

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

• Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates

40µ″ Nominal.

• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

CASE 465A-06, STYLE 1

NI-780S

MRF19085SR3, MRF19085LSR3

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

DSS

-0.5, +15

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

273

1.56

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

- 65 to +150

200

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value (1)

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

0.79

°C/W

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

(1) Refer to AN1955/D, Thermal Measurement Methodology of RF Power Amplifiers. Go to http://www.motorola.com/semiconductors/rf.

Select Documentation/Application Notes - AN1955.

NOTE - CAUTION - MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 6

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19085R3 MRF19085LR3 MRF19085SR3 MRF19085LSR3

 Motorola, Inc. 2004

For More Information On This Product,

Go to: www.freescale.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19085S	MOTOROLA	获取价格	L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CASE 465A-06, 3 PIN
MRF19085SR3	MOTOROLA	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19090	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19090	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19090R3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
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