Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF1946A

MRF1946A

更新时间： 2025-08-19 10:47:31

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRF1946A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	8 A	基于收集器的最大容量：	100 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	40	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF1946A 数据手册

MRF1946A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The MRF1946A is Designed for

12.5 V 175 MHz Large-Signal Power

Amplifier Applications.

PACKAGE STYLE .380" 4L STUD

.112x45°

FEATURES INCLUDE:

• High Common Emitter Power Gain

• Output Power = 30 W

ØC

MAXIMUM RATINGS

8.0 A

16 V

I_C

V_CE

V_CB

P_DISS

T_J

#8-32 UNC-2A

36 V

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

100 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

1.75 °C/W

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

T_STG

θ_JC

CHARACTERISTICS T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_E= 5.0 mA

V_CE= 15 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

4.0

5.0

---

h_FE

I_C= 1.0 A

150

C_ob

V_CB= 15 V

f = 1.0 MHz

f = 175 MHz

100

G_PE

V_CC= 12.5 V

P_out= 30 W

V_CC= 15.5 V

P_IN= 2.0 dB Overdrive

No Degradation in Power Output

Load VSWR = 30:1 ALL PHASE ANGLES

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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