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MRF20060R PDF预览

MRF20060R

更新时间： 2024-01-13 20:00:30
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 93K
描述
L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, CASE 451-06, 3 PIN

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MRF20060R 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.09外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF20060R 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF20060R/D  
The RF Sub–Micron Bipolar Line  
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ꢖ
The MRF20060R and MRF20060RS are designed for class AB broadband  
commercial and industrial applications at frequencies from 1800 to 2000 MHz.  
The high gain, excellent linearity and broadband performance of these devices  
make them ideal for large–signal, common emitter class AB amplifier applica-  
tions. These devices are suitable for frequency modulated, amplitude modulated  
and multi–carrier base station RF power amplifiers.  
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60 W, 2000 MHz  
RF POWER  
BROADBAND  
NPN BIPOLAR  
• Guaranteed Two–tone Performance at 2000 MHz, 26 Volts  
Output Power — 60 Watts (PEP)  
Power Gain — 9 dB  
Efficiency — 33%  
Intermodulation Distortion — –30 dBc  
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
• S–Parameter Characterization at High Bias Levels  
• Excellent Thermal Stability  
• Capable of Handling 3:1 VSWR @ 26 Vdc, 2000 MHz, 60 Watts (PEP)  
Output Power  
• Designed for FM, TDMA, CDMA and Multi–Carrier Applications  
• Test Fixtures Available at: http://mot–sps.com/rf/designtds/  
CASE 451–06, STYLE 1  
(MRF20060R)  
Note: Not suitable for class A operation.  
CASE 451A–03, STYLE 1  
(MRF20060RS)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage (I = 0 mA)  
V
CEO  
B
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
60  
CES  
CBO  
CER  
V
V
60  
Collector–Emitter Voltage (R = 100 Ohm)  
30  
BE  
Base–Emitter Voltage  
V
EB  
– 3  
8
Collector Current – Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
250  
1.43  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
– 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
0.7  
°C/W  
θ
JC  
REV 3  
Motorola, Inc. 2000  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF20060S MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER BROADBAND NPN BIPOLAR
MRF2010 MOTOROLA

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 		Transistor
MRF2010M MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, CASE 337-02, 3 PIN
MRF206 NKK

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 		Half-Inch Diameter Process Sealed Rotaries
MRF206-A NKK

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