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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> MRF20060
MRF20060 PDF预览

MRF20060

更新时间： 2024-01-10 15:31:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
10页 113K
描述
RF POWER BROADBAND NPN BIPOLAR

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MRF20060 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.64外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：250 W
最大功率耗散 (Abs)：250 W最小功率增益 (Gp)：9 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MRF20060 数据手册

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by MRF20060/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Sub–Micron Bipolar Line  
The MRF20060 and MRF20060S are designed for broadband commercial  
and industrial applications at frequencies from 1800 to 2000 MHz. The high  
gain, excellent linearity and broadband performance of these devices make  
them ideal for large–signal, common emitter class A and class AB amplifier  
applications. These devices are suitable for frequency modulated, amplitude  
modulated and multi–carrier base station RF power amplifiers.  
60 W, 2000 MHz  
•
Guaranteed Two–tone Performance at 2000 MHz, 26 Volts  
Output Power — 60 Watts (PEP)  
Power Gain — 9 dB  
RF POWER  
BROADBAND  
NPN BIPOLAR  
Efficiency — 33%  
Intermodulation Distortion — –30 dBc  
•
•
•
•
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
S–Parameter Characterization at High Bias Levels  
Excellent Thermal Stability  
Capable of Handling 3:1 VSWR @ 26 Vdc, 2000 MHz, 60 Watts (PEP)  
Output Power  
•
Designed for FM, TDMA, CDMA and Multi–Carrier Applications  
CASE 451–04, STYLE 1  
(MRF20060)  
CASE 451A–01, STYLE 1  
(MRF20060S)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage (I = 0 mA)  
B
V
CEO  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
V
60  
CES  
CBO  
CER  
V
V
60  
Collector–Emitter Voltage (R  
Base–Emitter Voltage  
= 100 Ohm)  
30  
BE  
V
EB  
– 3  
8
Collector Current – Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
250  
1.43  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
THERMAL CHARACTERISTICS  
T
– 65 to +150  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
Rating  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.7  
°C/W  
θJC  
Motorola, Inc. 1997  
1234567...10

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与MRF20060相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MRF20060R NXP

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 		L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, CASE 451-06, 3 PIN
MRF20060S MOTOROLA

获取价格

 		RF POWER BROADBAND NPN BIPOLAR
MRF2010 MOTOROLA

获取价格

 		Transistor
MRF2010M MOTOROLA

获取价格

 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, CASE 337-02, 3 PIN
MRF206 NKK

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 		Half-Inch Diameter Process Sealed Rotaries
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