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MRF19090S

更新时间： 2024-01-28 07:33:17

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体射频场效应晶体管功率场效应晶体管功效放大器
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描述
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

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MRF19090S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH EFFICIENCY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	65 V
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFP-F2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	270 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MRF19090S 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

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by MRF19090/D

The RF MOSFET Line

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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for Class AB PCN and PCS base station applications with

frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM, and

multicarrier amplifier applications.

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1990 MHz, 90 W, 26 V

LATERAL N–CHANNEL

RF POWER MOSFETs

• Typical CDMA Performance: 1990 MHz, 26 Volts

IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13

Output Power — 9 Watts

Power Gain — 10 dB

Adjacent Channel Power —

885 kHz: –47 dBc @ 30 kHz BW

1.25 MHz: –55 dBc @ 12.5 kHz BW

2.25 MHz: –55 dBc @ 1 MHz BW

• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

• High Gain, High Efficiency and High Linearity

• Integrated ESD Protection

• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

• Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 90 Watts (CW)

Output Power

CASE 465B–03, STYLE 1

(NI–880)

• Excellent Thermal Stability

• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

(MRF19090)

CASE 465C–02, STYLE 1

(NI–880S)

(MRF19090S)

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol

Value

Unit

Vdc

Drain–Source Voltage

Gate–Source Voltage

DSS

+15, –0.5

Total Device Dissipation @ T > = 25°C

Derate above 25°C

270

1.54

Watts

W/°C

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature

–65 to +150

200

°C

stg

ESD PROTECTION CHARACTERISTICS

Test Conditions

Class

Human Body Model

Machine Model

1 (Minimum)

M3 (Minimum)

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Thermal Resistance, Junction to Case

Symbol

Max

Unit

0.65

°C/W

NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and

packaging MOS devices should be observed.

REV 3

MOTOROLA RF DEVICE DATA

MRF19090 MRF19090S MRF19090SR3

 Motorola, Inc. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRF19090SR3	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19090SR3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19120	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19120S	MOTOROLA	获取价格	RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
MRF19125	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19125	MOTOROLA	获取价格	RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19125R3	FREESCALE	获取价格	RF Power Field Effect Transistors
MRF19125S	MOTOROLA	获取价格	RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF19125SR3	MOTOROLA	获取价格	RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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