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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> MRF19125SR3
MRF19125SR3 PDF预览

MRF19125SR3

更新时间： 2024-11-14 22:18:51
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
12页 363K
描述
RF Sub-Micron MOSFET Line N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF19125SR3 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLATPACK, R-CDFP-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.2配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CDFP-F2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：330 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MRF19125SR3 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Order this document  
by MRF19125/D  
The RF Sub–Micron MOSFET Line  
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N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs  
Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from  
1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier  
applications.  
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• Typical 2–Carrier N–CDMA Performance for VDD = 26 Volts,  
IDQ = 1300 mA, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz  
IS–95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13)  
1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. Adjacent Channels Measured  
over a 30 kHz Bandwidth at f1 –885 kHz and f2 +885 kHz. Distortion  
Products Measured over 1.2288 MHz Bandwidth at f1 –2.5 MHz and  
f2 +2.5 MHz. Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.  
Output Power — 24 Watts Avg.  
1990 MHz, 125 W, 26 V  
LATERAL N–CHANNEL  
RF POWER MOSFETs  
Power Gain — 13.6 dB  
Efficiency — 22%  
ACPR — –51 dB  
IM3 — –37.0 dBc  
• Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use  
• High Gain, High Efficiency and High Linearity  
• Integrated ESD Protection  
CASE 465B–03, STYLE 1  
(NI–880)  
(MRF19125)  
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness  
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1990 MHz, 125 Watts (CW)  
Output Power  
• Excellent Thermal Stability  
• Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters  
• Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch  
Reel.  
CASE 465C–02, STYLE 1  
(NI–880S)  
(MRF19125S)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
65  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Drain–Source Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
DSS  
V
GS  
+15, –0.5  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
330  
1.89  
Watts  
W/°C  
C
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature  
T
–65 to +200  
200  
°C  
°C  
stg  
T
J
ESD PROTECTION CHARACTERISTICS  
Test Conditions  
Class  
Human Body Model  
Machine Model  
2 (Minimum)  
M3 (Minimum)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Symbol  
Max  
Unit  
R
0.53  
°C/W  
θ
JC  
NOTE – CAUTION – MOS devices are susceptible to damage from electrostatic charge. Reasonable precautions in handling and  
packaging MOS devices should be observed.  
REV 2  
Motorola, Inc. 2002  
1234567...12

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